[发明专利]一种制备Si、Cu双掺N型高阻GaAs单晶材料的方法无效
| 申请号： | 200710175397.8 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101220512A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 于洪国;武壮文;王继荣;袁泽海;张海涛;赵静敏 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱印康 |
| 地址： | 100088北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种能够提高设备利用率和产品质量稳定性、降低生产成本和工艺难度，而且易于大规模生产的制备Si、Cu双掺N型高阻GaAs单晶材料的方法。技术方案是：包括下列步骤：(1)选择高纯多晶，多晶的迁移率在3000cm2/v.s以上，浓度小于等于5×1015cm－3，以保证高阻单晶材料的迁移率和背景纯度；(2)确定掺Si、掺Cu的重量，按单晶备料的程序将料备好；(3)单晶生长，以保证然Si、Cu在单晶各部位的合理分布；(4)晶片退火。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 si cu 双掺 型高阻 gaas 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备Si、Cu双掺N型高阻GaAs单晶材料的方法，其特征是包括下列步骤：(1)、选择高纯多晶，多晶的迁移率在4500cm2/v.s以上，浓度小于等于3.5×1015cm-3，以保证高阻单晶材料的迁移率和背景纯度；(2)计算掺Si、掺Cu的重量，按单晶备料的程序将料备好；(3)单晶生长，以保证然Si、Cu在单晶各部位的合理分布；(4)晶片退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司，未经北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710175397.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
