[发明专利]高压MOS器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710172804.X | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101211787A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王俊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压MOS器件的制造方法，涉及半导体领域的制造技术。本发明的制造方法包括：首先在硅片的衬底内掺杂形成漂移区，然后在衬底表面上依次淀积一层二氧化硅和一层氮化硅；在所述氮化硅上进行涂光刻胶、曝光、显影步骤，然后再进行刻蚀步骤将硅片栅极位置对应的氮化硅和二氧化硅去掉形成窗口区域；将窗口区域暴露出来的衬底刻蚀掉一部分；进行热氧化步骤在窗口区域生长二氧化硅；去掉剩余的氮化硅，淀积多晶硅，通过刻蚀步骤形成栅极。采用本发明的制造方法，使得漂移区的结深有效加深了，减小了导通电阻，减少了热电子的注入，提高了获得的高压MOS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压MOS器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：a.首先在硅片的衬底内掺杂形成漂移区，然后在衬底表面上依次淀积一层二氧化硅和一层氮化硅；b.在所述氮化硅上进行涂光刻胶、曝光、显影步骤，然后再进行刻蚀步骤将硅片栅极位置对应的氮化硅和二氧化硅去掉，形成窗口区域；c.将窗口区域暴露出来的衬底刻蚀掉一部分；d.进行热氧化步骤在窗口区域生长二氧化硅；e.去掉剩余的氮化硅，淀积多晶硅，通过刻蚀步骤形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
