[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200710172733.3 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101226895A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李睿;俞柳江;王庆东 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，涉及半导体的制造领域。本发明制造方法包括：a.首先在硅片的半导体衬底上依次淀积垫氧化层和垫氮化物层；b.在垫氮化物层上涂光刻胶、曝光、显影形成沟槽图案；c.根据沟槽图案，以垫氮化物层为硬掩模，在半导体衬底上刻蚀形成沟槽；d.在沟槽的底部和侧壁氧化形成内衬氧化物层；e.向沟槽内填充介质氧化物；所述制造方法在所述步骤d之后和步骤e之前还包括进行1150摄氏度以上的退火工艺。与现有技术相比，本发明通过在淀积内衬氧化物层后进行高温退火步骤，有效地消除了刻蚀步骤产生的应力，避免了将过量介质材料填充到沟槽内，有效改善了MOS器件的饱和电流对沟道宽度的依赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离(STI)结构的制造方法，其包括如下步骤：a.首先在硅片的半导体衬底上依次淀积垫氧化层和垫氮化物层；b.在垫氮化物层上涂光刻胶、曝光、显影形成沟槽图案；c.根据沟槽图案，以垫氮化物层为硬掩模，在半导体衬底上刻蚀形成沟槽；d.在沟槽的底部和侧壁氧化形成内衬氧化物层；e.向沟槽内填充介质氧化物；其特征在于，所述制造方法在所述步骤d之后和步骤e之前还包括进行1150摄氏度以上的退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
