[发明专利]双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法

摘要

一种薄膜技术领域的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法。本发明首先将质量分数90％In₂O₃和质量分数10％SnO₂的均匀混合物制成ITO板材，将ITO板材和金属Zr板材加工成符合溅射仪要求的ITO靶和Zr靶，分别将双靶和基底经过清洗后先后装入溅射仪，溅射制备Zr掺杂ITO(ITO:Zr)薄膜，所述的ITO∶Zr薄膜中金属原子个数比为：In∶Sn∶Zr＝9∶1∶0.2。本发明可制备出Zr掺杂ITO薄膜，相对于ITO薄膜来说，Zr掺杂ITO薄膜具有较好的光电性能、较低的表面粗糙度、较好的表面能和良好的热稳定性与化学稳定性，同时这种方法与ITO薄膜的制备工艺相兼容，能够方便地调节掺杂含量，提高生产效率。

主权项

1.一种双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征在于，首先将质量分数90％In2O3和质量分数10％SnO2的均匀混合物制成ITO板材，将ITO板材和金属Zr板材加工成ITO靶和Zr靶，将双靶和基底分别经过清洗后先后装入溅射仪，溅射制备Zr掺杂ITO薄膜，所述的Zr掺杂ITO薄膜中金属原子个数比为：ln∶Sn∶Zr＝9∶1∶0.2。