[发明专利]一种在硅片表面实施的沟槽隔离工艺有效
| 申请号： | 200710172266.4 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183659A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 叶红波 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在硅片表面实施的沟槽隔离工艺，该工艺包括如下步骤：a.通过刻蚀制程在硅片表面刻蚀出一个沟槽；b.去除刻蚀副产物；c.对沟槽内部注入硅离子，使衬底表面非晶化，然后对硅片进行高温退火以修复注入损伤；d.生长一层衬垫氧化层；e.填充氧化物，使氧化物的质地在高温下致密化；f.通过化学机械抛光实现硅片表面平坦化。与现有技术相比，本发明的方法使沟槽角落和周边生长的氧化层的厚度更为均匀，最终使硅片沟槽角落和周边应力释放均匀，可有效降低角落处的缺陷密度，从而减少漏电；另外，非晶化衬底氧化速度较快，所以该衬垫氧化层生长的速度也会有所提高，降低了沟槽隔离工艺的时间成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 实施 沟槽 隔离工艺 | ||
【主权项】：
1.一种在硅片表面实施的沟槽隔离工艺，该工艺包括如下步骤：a.通过刻蚀制程在硅片表面刻蚀出一个沟槽；b.去除刻蚀副产物；c.对沟槽内部注入硅离子，使衬底表面非晶化，然后对硅片进行高温退火以修复注入损伤；d.生长一层衬垫氧化层；e.填充氧化物，使氧化物的质地在高温下致密化；f.通过化学机械抛光实现硅片表面平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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