[发明专利]溅射镀膜离子束辐照增强方法无效
| 申请号： | 200710172154.9 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101182628A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李铸国;黄坚;吴毅雄 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种镀膜技术领域的溅射镀膜离子束辐照增强方法，包括如下步骤：第一步，将内置射频线圈放于镀膜室中基板前面，使叠加的等离子体产生在基板附近；第二步，对射频线圈的外表面进行完全绝缘化处理；第三步，将射频能量输入射频线圈，射频线圈发热，对射频线圈进行冷却；第四步，调整输入的射频功率，实现对辐照基板的离子束密度的控制，从而调整镀膜中离子束辐照作用。本发明方法中，辐照基板的离子束没有高能尾巴，离子束的密度和能量可以独立调节，输入的射频功率可高达数千瓦，镀膜室中的等离子体没有污染。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 镀膜 离子束 辐照 增强 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射镀膜离子束辐照增强方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，将内置射频线圈放于镀膜室中基板前面，使叠加的等离子体产生在基板附近；第二步，对射频线圈的外表面进行完全绝缘化处理；第三步，将射频能量输入射频线圈，射频线圈发热，对射频线圈进行冷却；第四步，调整输入的射频功率，实现对辐照基板的离子束密度的控制，从而调整镀膜中离子束辐照作用。
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