[发明专利]具有多个等离子体反应区域的包括多个处理平台的等离子体反应室有效
| 申请号: | 200710171405.1 | 申请日: | 2007-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN101451237A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
| 发明(设计)人: | 陈爱华;刘忆军;陈金元;罗力;倪图强;尹志尧;何乃明 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/513;C30B25/08;H05H1/00;B01J19/08 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王 洁 |
| 地址: | 201201上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种等离子体反应室包括反应室主体,于反应室主体内设置多个处理平台。每一个处理平台内设置有一个可旋转的基片支座。每一个基片支座上方设置有一个与等离子参与反应区同位的等离子体生成区,在每一个所述的同位的等离子体生成区的上方相邻地设置有一个相应的相邻等离子体生成区,并且该同位等离子体生成区与该相应的相邻等离子体生成区相连通。射频能量源与每一个相邻等离子体生成区相连接。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 等离子体 反应 区域 包括 处理 平台 | ||
【主权项】:
1. 一种等离子体反应室,包括:反应室主体,于其内设置有多个处理平台;多个可旋转的基片支座,每一个所述基片支座对应设置于每一个所述处理平台中;多个与等离子参与反应区同位的等离子体生成区,每一个所述与等离子参与反应区同位的等离子体生成区位于每一个所述基片支座的上方;多个相邻等离子体生成区,每一个所述相邻等离子体生成区位于每一个相应的与等离子参与反应区同位的等离子体生成区的上方,并与该相应的与等离子参与反应区同位的等离子体生成区相连通;以及射频能量源,与每一个所述相邻等离子体生成区相连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





