[发明专利]用于制造抗反射薄膜的化合物以及抗反射薄膜的制造方法无效
| 申请号: | 200710170356.X | 申请日: | 2007-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN101434614A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
| 发明(设计)人: | 翁畅健;陈庆松 | 申请(专利权)人: | 达信科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C07F7/04 | 分类号: | C07F7/04;G02B1/11 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种用于制造抗反射薄膜的化合物以及抗反射薄膜的制造方法。化合物具有Si(OR)3-O-[Si(OR)2-O]n-Si(OR)3的结构,式中,R选自C3H9-、C2H5-或CH3-,并且n为1至15的整数。方法步骤包括:准备第一溶液,通过将上述化合物、氟代硅氧烷基单体、催化剂及溶剂的混合溶液进行溶胶-凝胶反应后而形成;将第一溶液涂布于表面;以及进行干燥工序,以形成抗反射薄膜。氟代硅氧烷基单体,具有CF3(CF2)mCH2CH2-Si(OX)3的结构,式中,X选自C3H9-、C2H5-或CH3-,m为0至10的整数。本发明的薄膜具有较低的光反射率,并且具有较高的耐磨耗度和硬度的物理性质。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 制造 反射 薄膜 化合物 以及 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种用于制造抗反射薄膜的化合物,具有下式所示的结构:Si(OR)3-O-[Si(OR)2-O]n-Si(OR)3,其中,R选自C3H9-、C2H5-或CH3-;并且n为1至15的整数。
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