[发明专利]增强磁控制等离子体径向分布的约束挡板和流动均衡器无效
申请号: | 200710170253.3 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101188189A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 马修·L·米勒;丹尼尔·J·霍夫曼;史蒂文·C·香农;迈克尔·库特尼;詹姆斯·卡杜西;安德鲁·尼古因 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/00;H05H1/10;C23C16/513;C23F4/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种具有等离子体约束和等离子体径向分布性能的等离子体反应器。该反应器包含在腔室中含有侧壁和工件支撑底座并限制底座和侧壁之间的抽吸环的反应器腔室和在抽吸环底部的抽吸口。该反应器进一步包含用于限制气流在轴向方向上通过抽吸环以防止等离子体流到抽吸口。该反应器进一步包含用于补偿由抽吸口的位移引起的在底座上气流图案的不对称性的工具。该反应器进一步包含用于控制具有固有趋势的等离子体分布的工具,以促进边缘高等离子体密度分布。用于限制气流的工具充分降到工件支撑下面,以补偿用于控制等离子体分布的工具的边缘高等离子体分布趋势。 | ||
搜索关键词: | 增强 控制 等离子体 径向 分布 约束 挡板 流动 均衡器 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体反应器,包含:腔室,其包含腔室侧壁、顶部和底部;在所述腔室内的工件支撑底座,该工件支撑底座具有工件支撑表面和底座侧壁,所述底座侧壁面向所述腔室侧壁,并从所述腔室底部延伸,并且限定所述腔室侧壁和所述底座侧壁之间的抽吸环;;在所述腔室底部中的抽吸口;环形等离子体约束挡板,其从所述底座侧壁延伸并具有外部边缘,该外部边缘限定所述外部边缘和所述腔室侧壁之间的气流间隙,所述挡板降低到所述工件支撑表面下一段距离,所述距离相应于在所述工件支撑底座的外围处降低的等离子体离子密度;以及气流均衡器,其包含在所述挡板下面并阻抗气流通过所述抽吸环的阻挡板,所述阻抗板限定在所述抽吸口附近一侧的最小气流传导和在所述抽吸口相对一侧上最大气体传导的所述晶圆支撑底座周围的偏心开口,所述阻挡板与所述栅格隔开以限定在该阻挡板与栅格之间的足够长的间隙,从而引起最小气流阻力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710170253.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:大泷六线鱼专用配合饲料
- 下一篇:电源控制器和半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造