[发明专利]半导体发光组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710166912.6 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101420000A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 詹玄塘 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光组件及其制造方法。该半导体发光组件包含一基板、一第一半导体材料层、一发光层、一第二半导体材料层、一第一透明绝缘层、一金属层以及至少一个电极。该第一半导体材料层、该发光层及该第二半导体材料层依序形成于该基板上。一孔洞形成于该第二半导体材料层的一上表面及该第一半导体材料层之间。该第一透明绝缘层覆盖该孔洞的侧壁并且大体上覆盖该第二半导体材料层的该上表面，致使该上表面的一区域外露。该金属层填满该孔洞，并且部分覆盖该第一透明绝缘层及覆盖该外露的区域。该至少一个电极形成于该金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光组件，其特征在于，包含：一基板；一第一半导体材料层，所述第一半导体材料层形成于所述基板上；一发光层，所述发光层形成于所述第一半导体材料层上；一第二半导体材料层，所述第二半导体材料层形成于所述发光层上，所述第二半导体材料层具有一上表面，一孔洞形成于所述第二半导体材料层的所述上表面及所述第一半导体材料层之间；一第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层覆盖所述孔洞的侧壁并且大体上覆盖所述第二半导体材料层的所述上表面，致使所述上表面的一区域外露；一金属层，所述金属层填满所述孔洞，并且部分覆盖所述第一透明绝缘层及所述外露的区域；以及至少一个电极，所述至少一个电极形成于所述金属层上。
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