[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710166497.4 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101188200A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·戈德巴赫;迪特马·亨克;斯文·施米德鲍尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L29/772;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法。提供了硅基板，该硅基板包括其中注入有掺杂剂的至少一个结构区域。在该至少一个结构区域的表面上提供接触改变材料。在该至少一个结构区域的表面上形成硅化物层，该硅化物层包括硅化钛、硅化氮化钛和硅化钴中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供硅基板，所述硅基板包括至少一个结构区域，所述结构区域中注入有掺杂剂材料；(b)在所述至少一个结构区域的表面上提供接触改变材料；以及(c)在所述至少一个结构区域的所述被改变的表面上形成硅化物层，所述硅化物层包含硅化钛、硅化氮化钛、硅化钴、硅化镍、硅化镱、硅化铒、硅化铂、硅化钯、和硅化铼中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
