[发明专利]一种导电膜的制造方法、结构及具有该导电膜的探针卡有效
| 申请号: | 200710162691.5 | 申请日: | 2007-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN101414569A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
| 发明(设计)人: | 吴东权;周敏杰;林宏彝 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R1/067;G01R1/073 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种导电膜的制造方法及其结构,以及具有该导电膜的探针卡;该导电膜通过微影深蚀刻模造技术及高分子厚膜技术,由绝缘薄膜包覆单层单向排列的复数金属微线构成金属微线数组单元;该绝缘薄膜具有高介电常数的聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺等高分子薄膜;该金属微线具有高导电性与高强度的铁钴合金;于真空环境下通过表面处理与机械愈合技术,该将金属微线数组单元黏着、堆栈至一定厚度,使形成一导电膜,由激光、离子束或等离子体等能量束可将导电膜裁切至所需尺寸;将该导电膜结合于扩线板,可提供一种适用于任何焊垫排列的晶片,成本低、维修容易,利于大面积针测的探针卡。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 导电 制造 方法 结构 具有 探针 | ||
【主权项】:
1、一种导电膜的制造方法,其包含:于一基材上依序成型一第一绝缘层、一第一金属层,及一光阻层;于该光阻层上形成复数沟槽;于该沟槽内长成第二金属层,该第二金属层可与该第一金属层结合,构成电性导通;去除光阻层;去除未被第二金属层覆盖的第一金属层,使形成至少一金属微线;于金属微在线覆以第二绝缘层,该第二绝缘层可与该第一绝缘层结合构成绝缘薄膜,将该金属微线包覆于其内;将该绝缘薄膜连同该金属微线由基材剥离,使构成一金属微线数组单元;将复数层的金属微线数组单元黏着、堆栈至一定厚度,使形成一导电膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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