[发明专利]具有自我形成间隙的可程序化电阻存储单元有效
| 申请号： | 200710162453.4 | 申请日： | 2007-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101252167A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种存储装置，包括：一第一电极；一第二电极；一存储材料形成该第一电极与该第二电极间的一电极间电流路径，该存储材料具有一主动区域，可根据热能来改变自身的固态相；一伸缩性材料邻近该存储材料中的该主动区域，该伸缩性材料的特征在于会由于热能而缩小；以及伸缩性材料的一缩小部分形成该存储材料与该伸缩性材料之间的一间隙，该间隙与该主动区域对准。本发明同时公开了一种制造存储装置的方法。利用本发明，能够正确的将空隙置放于主动区域旁。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自我 形成 间隙 程序化 电阻 存储 单元 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，包括：一第一电极；一第二电极；一存储材料形成该第一电极与该第二电极间的一电极间电流路径，该存储材料具有一主动区域，可根据热能来改变自身的固态相；一伸缩性材料邻近该存储材料中的该主动区域，该伸缩性材料的特征在于会由于热能而缩小；以及伸缩性材料的一缩小部分形成该存储材料与该伸缩性材料之间的一间隙，该间隙与该主动区域对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710162453.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用高炉水渣制备连铸保护渣的方法
- 下一篇：塑料壳体锂离子电池及其制备方法
