[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200710161982.2 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154647A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 浅井周二;日高匡睦;黑泽直人;及川洋一;丹羽隆树 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，其包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线电连接且阻挡膜介于其间，并且是形成于第二表面的布线的一部分，该第二通孔以凹状形成在与半导体衬底的第一表面相对的第二表面，以到达阻挡膜。该阻挡膜包括8族元素中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线电连接且阻挡膜介于其间，并且是形成于第二表面的布线的一部分，该第二通孔以凹状形成于与半导体衬底的第一表面相对的第二表面，以到达阻挡膜，其中阻挡膜包括8族元素中的至少一种。
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