[发明专利]具有向周围延伸的存储元件的存储单元器件有效

专利信息
申请号: 200710161895.7 申请日: 2007-09-27
公开(公告)号: CN101159312A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 龙翔澜 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种具有可通过施加能量而在电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件,其具有底电极构件、顶电极构件以及位于顶电极构件与底电极构件之间的电介质材料。此顶电极以及底电极构件具有彼此大致对准的环绕向外延伸的外表面。存储元件包含存储材料,至少部分环绕且与该底电极构件和该顶电极构件的该外表面电接触,以在该电介质材料中产生存储元件转换区域。在某些实施例中,底电极构件、该顶电极构件以及该电介质材料定义材料堆叠,该材料堆叠具有延伸于该底电极构件和该顶电极构件之间且通过该电介质材料的方向的长度,以及延伸垂直于该长度且具有亚光刻尺寸的宽度。
搜索关键词: 具有 周围 延伸 存储 元件 单元 器件
【主权项】:
1.一种具有可通过施加能量而在电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件,所述存储单元器件包括:底电极构件,其具有环绕向外延伸的外表面;在所述底电极构件之上的顶电极构件,所述顶电极构件具有与所述底电极构件的所述外表面大致对准的环绕向外延伸的外表面;电介质材料,其位于所述顶电极构件与所述底电极构件之间;以及存储元件包含存储材料,所述存储元件至少部分环绕且与所述底电极构件和所述顶电极构件的所述外表面电接触,以在所述电介质材料中产生存储元件转换区域;其中能量通过所述底电极构件和所述顶电极构件时,会被集中在所述存储元件的所述转换区域中,以导致改变所述存储材料的电性状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710161895.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top