[发明专利]焊垫开口的形成方法有效

专利信息
申请号: 200710159777.2 申请日: 2007-12-21
公开(公告)号: CN101465303A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 罗文勋;倪志荣;林奕同 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/311
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 田 野
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是一种焊垫开口的形成方法。此方法是在已形成焊垫的基底上依序形成保护层与掩模层。接着,以焊垫的抗反射层为蚀刻终止层,蚀刻保护层,以形成一开口。之后,进行干式移除工艺,以移除掩模层。然后,进行湿式清洗步骤,以移除残留的掩模层或先前工艺所产生的聚合物。其后,以保护层为硬掩模层,蚀刻移除开口所裸露的抗反射层,以形成焊垫开口。本发明的形成焊垫开口的方法非常简易,可以有效减少聚合物的量,且可以将聚合物清除干净,避免在蚀刻的过程中腐蚀焊垫。因此,本发明的方法可以有效提升可靠度。
搜索关键词: 开口 形成 方法
【主权项】:
1. 一种焊垫开口的形成方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成一焊垫,该焊垫包括一导电层与一抗反射层;在该基底上方形成一保护层,覆盖该焊垫;在该保护层上形成一掩模层,其具有一第一开口裸露出该保护层;以该抗反射层为蚀刻终止层,蚀刻该保护层,以形成一第二开口;进行一干式移除工艺,以移除该掩模层;进行一湿式清洗步骤,以移除残留的该掩模层或先前工艺所产生的聚合物;以及以该保护层为硬掩模层,该导电层为蚀刻终止层,蚀刻移除该第二开口所裸露的该抗反射层,以形成一焊垫开口。
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