[发明专利]焊垫开口的形成方法有效
| 申请号: | 200710159777.2 | 申请日: | 2007-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101465303A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
| 发明(设计)人: | 罗文勋;倪志荣;林奕同 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/311 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 田 野 |
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明是一种焊垫开口的形成方法。此方法是在已形成焊垫的基底上依序形成保护层与掩模层。接着,以焊垫的抗反射层为蚀刻终止层,蚀刻保护层,以形成一开口。之后,进行干式移除工艺,以移除掩模层。然后,进行湿式清洗步骤,以移除残留的掩模层或先前工艺所产生的聚合物。其后,以保护层为硬掩模层,蚀刻移除开口所裸露的抗反射层,以形成焊垫开口。本发明的形成焊垫开口的方法非常简易,可以有效减少聚合物的量,且可以将聚合物清除干净,避免在蚀刻的过程中腐蚀焊垫。因此,本发明的方法可以有效提升可靠度。 | ||
| 搜索关键词: | 开口 形成 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种焊垫开口的形成方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成一焊垫,该焊垫包括一导电层与一抗反射层;在该基底上方形成一保护层,覆盖该焊垫;在该保护层上形成一掩模层,其具有一第一开口裸露出该保护层;以该抗反射层为蚀刻终止层,蚀刻该保护层,以形成一第二开口;进行一干式移除工艺,以移除该掩模层;进行一湿式清洗步骤,以移除残留的该掩模层或先前工艺所产生的聚合物;以及以该保护层为硬掩模层,该导电层为蚀刻终止层,蚀刻移除该第二开口所裸露的该抗反射层,以形成一焊垫开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





