[发明专利]具有双边带陡降特性的新型频率选择表面无效

专利信息
申请号: 200710156828.6 申请日: 2007-11-12
公开(公告)号: CN101286584A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 罗国清;孙玲玲 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207;H01P1/20;H01P5/12;H01P11/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 张法高
地址: 310018浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种具有双边带陡降特性的新型频率选择表面。传统频率选择表面选择性低、性能稳定性差、体积大。本发明在介质基片的两面镀有金属层,贯穿整个介质基片开有排列为多组大小正方形的金属化通孔,形成多组高频、低频基片集成波导腔体。相邻高频、低频腔体内的上、下金属层蚀刻相同的正方环形耦合缝隙;与普通的由两种不同尺寸的周期性贴片或者缝隙构成的双频带频率选择表面相比,由于新结构引入了腔体谐振模式,实现了通带的双边陡降特性,大大提高了通带的选择特性,其性能对于入射波的角度和极化性的稳定性好。
搜索关键词: 具有 双边 带陡降 特性 新型 频率 选择 表面
【主权项】:
1、具有双边带陡降特性的新型频率选择表面,包括介质基片,其特征在于:介质基片的两面镀有金属层,分别是上金属层和下金属层;贯穿上金属层、介质基片和下金属层周期性地开有多组通孔,通孔内壁镀金属层,形成金属化通孔;每组金属化通孔排列为两个相邻的正方形,分别构成高频基片集成波导腔体和低频基片集成波导腔体,高频基片集成波导腔体的边长小于低频基片集成波导腔体的边长;高频基片集成波导腔体中心点和低频基片集成波导腔体中心点的连线与高频基片集成波导腔体以及低频基片集成波导腔体对应的边平行;对应高频基片集成波导腔体和低频基片集成波导腔体的区域内的上、下金属层分别对应蚀刻有完全相同的四个正方环形的耦合缝隙,四个耦合缝隙与对应的高频基片集成波导腔体和低频基片集成波导腔体的中心分别重合、四边分别平行;对应的一个高频基片集成波导腔体、一个低频基片集成波导腔体和四个耦合缝隙组成频率选择表面的一个周期单元,多个周期单元顺序排列,构成周期单元的矩形网格阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710156828.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top