[发明专利]单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线

摘要

本发明涉及一种单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线。普通背腔圆极化天线结构复杂、体积大、制造成本高。本发明在介质基片的两面镀有金属层，上金属层蚀刻有用于辐射能量的两条相互垂直的长方形缝隙。贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有排列为圆形的多个金属化通孔，形成圆形腔体。在腔体区域内两条相互垂直的长条形辐射缝隙的角平分线的合适位置，贯穿下金属层和介质基片接入同轴探针作为馈电结构。与已有金属腔体构成的背腔圆极化天线相比，本发明的腔体采用普通的PCB工艺制作使得天线轮廓小，制作成本低。

主权项

1.单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线，包括介质基片，其特征在于：介质基片的两面镀有金属层，分别是上金属层和下金属层，其中下金属层作为地层；贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有通孔，通孔内壁镀有金属，形成金属化通孔；多个金属化通孔顺序排列为圆形，形成圆形基片集成波导腔体，构成基片集成波导腔体的金属化通孔的孔间距相同；上金属层在基片集成波导腔体的区域内蚀刻有两条垂直相交的长条形的辐射缝隙，两条辐射缝隙宽度相同，均以交叉点作为中心点，且交叉点与基片集成波导腔体的圆心重合；下金属层在基片集成波导腔体的区域内设置有同轴线，同轴线设置在对应两条相互垂直的辐射缝隙的角平分线的位置，同轴线的探针贯穿下金属层和介质基片，并与上金属层相连，同轴线的外金属壳与下金属层相连。