[发明专利]用于PECVD沉积工艺期间包覆屏蔽的系统和方法无效
| 申请号: | 200710154131.5 | 申请日: | 2007-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN101177782A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
| 发明(设计)人: | 迈克尔·W·斯托厄尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明公开了一种用于等离子体增强化学气相沉积的系统和方法。一个实施方式包括工艺腔室;定位在该工艺腔室中的衬底支架,该衬底支架配置用于支撑其上将沉积膜的衬底;定位在该工艺腔室中的天线;部分围绕该天线的游离基护罩,该游离基护罩具有内部容积;定位用于将辅助气体提供给该游离基护罩的内部容积的辅助气体入口;配置用于将前体气体提供给该工艺腔室的内部的前体气体入口;至少一个游离基护罩中的孔,该孔定位用于使得游离基逃逸出游离基护罩的内部容积并且与前体气体碰撞。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 pecvd 沉积 工艺 期间 屏蔽 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体沉积系统,包括:工艺腔室;定位在所述工艺腔室中的衬底支架,该衬底支架配置用于支撑其上将沉积膜的衬底;定位在所述工艺腔室中的天线;部分包围所述天线的包覆护罩,该包覆护罩具有内部容积;定位用于将辅助气体提供给所述包覆护罩的所述内部容积的辅助气体入口;配置用于将前体气体提供给所述工艺腔室的内部的前体气体入口;以及在所述包覆护罩中的至少一个孔,该孔定位用于使得游离基逃逸出所述包覆护罩的所述内部容积并且与所述前体气体碰撞。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





