[发明专利]混合取向基板上用于嵌入的沟槽存储器的结构及制造方法有效
| 申请号： | 200710152890.8 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101159272A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;拉马钱德拉·迪瓦卡鲁尼;卡尔·J·雷登斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了包括在混合取向技术(HOT)基板上针对嵌入的沟槽存储(例如，沟槽电容器)的自对准带的结构和相关的方法。一种结构包括：混合取向基板，该混合取向基板包括绝缘体上半导体(SOI)区和体半导体区；在SOI区上方的晶体管；在体半导体区中的沟槽电容器；和自对准带，由晶体管的源极/漏极区域延伸到沟槽电容器的电极。该方法不需要附加的掩模以产生该带，结果得到自对准带且提高了器件性能。在一个实施例中，该带为硅化物带。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 取向 基板上 用于 嵌入 沟槽 存储器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：混合取向基板，包括绝缘体上半导体区和体半导体区；晶体管，在该绝缘体上半导体区上方；沟槽电容器，在该体半导体区中；和自对准带，由该晶体管的源极/漏极区域延伸到该沟槽电容器的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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