[发明专利]具备在固定层中含有CoFeB膜的复合层的隧道型磁检测元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710152793.9 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101150170A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 五十岚一聪;梅津英治;田中健一;朝妻浩太 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01F10/32;H01F10/16;G11B5/39;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种隧道型磁检测元件及其制造方法，该隧道型磁检测元件由Al－O形成绝缘阻挡层，且能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。第二固定磁性层(4c)通过将由CoFeB形成的CoFeB层(4c1)及由CoFe或Co形成的界面层(4c2)顺序层叠而成。在所述第二固定磁性层(4c)上形成有由Al－O构成的绝缘阻挡层(5)。这样，通过设为CoFeB/CoFe/Al－O的层叠构造，能够得到低的RA且高的电阻变化率(ΔR/R)。进而与目前相比，可抑制RA及电阻变化率(三角形R/R)的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 固定 含有 cofeb 复合 隧道 检测 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隧道型磁检测元件，其中，其具有将固定磁化方向的固定磁性层、绝缘阻挡层及磁化方向相对于外部磁场可变动的自由磁性层从下顺序层叠的层叠部分，所述绝缘阻挡层由Al-O形成，构成所述固定磁性层的至少一部分且与所述绝缘阻挡层相接的阻挡层侧磁性层由CoFeB区域和界面区域构成，该CoFeB区域由CoFeB形成，该界面区域位于所述CoFeB区域和所述绝缘阻挡层之间，由CoFe或Co形成。
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