[发明专利]使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法有效
| 申请号： | 200710151631.3 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101187065A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 魏相旭;李成旭;裵基万;金光石 | 申请（专利权）人： | 株式会社SILTRON |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种使用金属污染以及热处理识别单晶硅的晶体缺陷区的方法。在此方法中，制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品。用金属以约1×1014到5×1016个原子/平方厘米的污染浓度污染样品的至少一侧。热处理受污染的样品。观察热处理过的样品的受污染侧或相反侧来识别晶体缺陷区。在不使用另一检查装置的情况下，可准确、容易且快速地分析晶体缺陷区，而与单晶硅中的氧浓度无关。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 污染 热处理 识别 单晶硅 中的 晶体缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种识别晶体缺陷区的方法，其特征在于其包括以下步骤：制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品；用金属以约1×1014到5×1016个原子/平方厘米的污染浓度，来污染所述样品的至少一侧；热处理所述受污染的样品；以及观察所述热处理过的样品的受污染侧或相反侧，来识别晶体缺陷区。
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