[发明专利]校准电路、半导体器件及调整半导体器件输出特性的方法无效
| 申请号： | 200710148556.5 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101226764A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 细江由树;黑木浩二 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及校准电路、半导体器件及调整半导体器件输出特性的方法。所述校准电路包括：驱动校准端ZQ的复制缓冲器；产生基准电压VMID的基准电压发生电路；将校准端ZQ中出现的电压与第一基准电压VMID比较的比较电路；基于通过所述比较电路进行的比较结果改变所述复制缓冲器的输出阻抗的阻抗调整电路；以及调整基准电压VMID的基准电压调整电路。利用该布置，通过考虑校准端ZQ和外部端子之间存在的电阻分量，可以偏移基准电压VMID，且因此可以进行更精确的校准操作。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 电路 半导体器件 调整 输出 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种校准电路，包括：连接到校准端的复制缓冲器；输出基准电压的基准电压发生电路；将校准端的电压与基准电压相比较的比较电路；基于所述比较电路的输出改变所述复制缓冲器的阻抗的阻抗调整电路；以及能够改变从所述基准电压发生电路输出的基准电压电平的基准电压调整电路。
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