[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710147182.5 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174565A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 南部英高 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件制造方法以控制晶片间和晶片内互连电阻、接触电阻的增加等。该半导体器件制造方法包括步骤：将待处理衬底放置在刻蚀设备中，该衬底中包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层膜形成在半导体衬底上或者上方，并且第一绝缘膜和第二绝缘膜在同一刻蚀设备中刻蚀，其中第一绝缘膜由含氮膜组成，第二绝缘膜由从SiOCH膜、SiO2膜、甲基倍半硅氧烷膜、氢倍半硅氧烷膜和甲基氢倍半硅氧烷膜中选择的一种或多种膜组成，其中采用(a)包括以CxFy(x：从1到6的整数，y：从4到12的整数)表示的碳氟化合物的气体，或者(b)该碳氟化合物和从O2、Ar和CO中选择的一种或者多种气体的混合气体，作为第一绝缘膜的刻蚀气体和第二绝缘膜的刻蚀气体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：将待处理衬底放置在刻蚀设备中，在该衬底中包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层膜形成在半导体衬底上，并且所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在同一刻蚀设备中刻蚀，其中所述第一绝缘膜由含氮膜组成，所述第二绝缘膜由从SiOCH膜、SiO2膜、甲基倍半硅氧烷膜、氢倍半硅氧烷膜和甲基氢倍半硅氧烷膜中选择的一种或多种膜组成，以及在所述步骤中，采用(a)包括以CxFy(x：从1到6的整数，y：从4到12的整数)表示的碳氟化合物的气体，或者(b)由所述碳氟化合物和从O2、Ar和CO中选择的一种或者多种气体组成的混合气体，来作为用于所述第一绝缘膜的刻蚀气体和用于所述第二绝缘膜的刻蚀气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
