[发明专利]复合多模式等离子体表面处理装置有效
| 申请号： | 200710144856.6 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101187004A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 田修波;杨士勤 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 复合多模式等离子体表面处理装置，它涉及一种等离子体表面处理装置。针对复合表面处理工艺处理工件，工件需要在两种不同的设备上进行不同的工艺处理，工件在中间环节时暴露在大气中，形成不利的杂质，影响最终膜层性能的问题。磁控溅射靶(4)、真空阴极弧源(14)、金属离子注入源(11)、低能离子源(5)和泵组(13)固装在真空室(1)的外壁上，真空室(1)内固装有射频天线(6)，中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内，下端与脉冲偏压电源(10)连接，高压靶台(7)固定在中心电极(9)上，真空室上盖(2)与气动装置(12)连接。本发明通过多种粒子产生手段，工件可以获得较厚的膜层，也可以获得膜层种类多样化，提高膜基结合力，实现异型工件的表面处理和多种工艺复合。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 模式 等离子体 表面 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种复合多模式等离子体表面处理装置，它包括真空室(1)、真空室上盖(2)、磁控溅射靶(4)、低能离子源(5)、射频天线(6)、高压靶台(7)、密封绝缘件(8)、中心电极(9)、脉冲偏压电源(10)、金属离子注入源(11)、底架(26)；其特征在于它还包括气动装置(12)、泵组(13)、真空阴极弧源(14)；所述真空阴极弧源(14)由一个直管真空阴极弧源(15)和一个90°弯管真空阴极弧源(16)组成，所述两个磁控溅射靶(4)、一个直管真空阴极弧源(15)、一个90°弯管真空阴极弧源(16)、一个金属离子注入源(11)、一个低能离子源(5)和一组泵组(13)固定装在真空室(1)外壁上的通孔内，真空室(1)内固装有射频天线(6)，中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内，中心电极(9)的下端与脉冲偏压电源(10)连接，中心电极(9)与密封绝缘件(8)动配合，高压靶台(7)装在真空室(1)内且固定在中心电极(9)上，进气口(3)设置在真空室(1)的底板上，真空室上盖(2)与气动装置(12)连接，气动装置(12)和真空室(1)均固装在底架(26)上，真空室(1)和真空室上盖(2)均带有水套夹层。
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