[发明专利]制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置有效
| 申请号： | 200710143522.7 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101143723A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈维平 | 申请（专利权）人： | 徐州东南多晶硅材料研发有限公司;华陆工程科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01B33/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华 |
| 地址： | 江苏省徐州市经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置。在多晶硅制备中由氯氢化法来制备三氯氢硅，其包括a)冶金硅在烘粉炉中加热到300－500℃，然后装入反应器；b)通过外部加热装置将四氯化硅汽化、加热，形成温度为160－600℃的四氯化硅气体；c)通过外部加热装置将氯化氢气体预热到150－300℃；d)通过加热器将氢气预热到300－600℃；和e)将步骤b)、c)和d)的气体加入反应器，其中氢气与四氯化硅的摩尔比为1－5∶1，氯化氢与四氯化硅的摩尔比为1∶1－20，并使反应器保持在400－600℃的温度和1.0－3.0MPa的压力。本发明方法能够成本有效地制备适用于半导体工业和太阳能电池的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 三氯氢硅 多晶 改进 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在多晶硅制备中由氯氢化法来制备三氯氢硅的方法，其包括将冶金硅装入反应器，通入汽化的四氯化硅气体、氢气和氯化氢，其中氢气与四氯化硅的摩尔比为1-5∶1，氯化氢与四氯化硅的摩尔比为1∶1-20，并使反应器保持在400-600℃的温度和1.0-3.0MPa的压力。
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