[发明专利]弹性凸块表面金属膜成型制程无效
| 申请号： | 200710143469.0 | 申请日： | 2007-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101359607A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 陆颂屏;黄崑永 | 申请（专利权）人： | 福葆电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省新竹市科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明主要揭露一种弹性凸块表面金属膜成型制程，先于集成电路组件形成有与焊垫相对应配置的弹性座体，再将可举离式光阻利用涂布、曝光、显影制程，于弹性座体周边形成光阻图案，然后在弹性座体及其周边的光阻图案上利用溅镀或蒸镀等金属化制程形成至少一层导电层，并使该导电层得以连接焊垫、弹性座体顶部的构装接合面以及针测表面，最后利用光阻剥离剂将光阻图案连同覆盖在光阻图案上的导电层去除，以形成弹性凸块的表面金属膜，以在不造成短路之下，可达到精确控制表面金属膜的宽度的目的，而有利于应用于细间距(fine pitch)的产品上。 | ||
| 搜索关键词： | 弹性 表面 金属膜 成型 | ||
【主权项】：
1、一种弹性凸块表面金属膜成型制程，依序包含有下列步骤：a、在集成电路组件的表面形成有与焊垫相对应配置的弹性座体；b、将光阻剂利用涂布、曝光、显影制程，于弹性座体周边形成光阻图案；c、利用物理气相沉积技术在弹性座体及其周边的光阻图案上形成至少一层导电层，并使该导电层得以连接焊垫以及弹性座体；d、最后利用光阻剥离剂将光阻图案连同覆盖在光阻图案上的导电层去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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