[发明专利]单个共形结纳米线光伏器件无效

专利信息
申请号: 200710142489.6 申请日: 2007-08-27
公开(公告)号: CN101132028A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: L·查卡拉科斯;B·A·科列瓦尔;J·A·弗龙黑泽;J·E·鲍尔奇 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/075;H01L31/072;H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吕彩霞;韦欣华
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在有些实施方案中,本发明的目标在于包含涂有薄共形涂层的细长纳米结构的光伏器件(例如,太阳能电池)。这种共形涂层一般提供基本连续的电荷分离结。取决于实施方案,这类器件能包含p-n结(100)、p-i-n结(400)(在p和n层之间有本征薄隧道层)和/或异质结(600)。但在所有情况下,细长纳米结构是光伏器件中的活性光伏(PV)元件。此外,本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法。这类光伏或太阳能电池器件的成本与薄膜太阳能电池相当,但因共形的电荷分离结而具有更高的效率。此外,纳米结构还提供优良的陷光作用和吸光性。
搜索关键词: 单个 共形结 纳米 线光伏 器件
【主权项】:
1.包含下列元件的光伏器件:a)许多发射自多孔纳米模板的细长纳米结构,该细长纳米结构由具有第一类掺杂的半导体材料构成;b)共形地沉积在许多细长纳米结构周围的半导体材料的共形层,该半导体材料的共形层具有第二类掺杂并与许多细长纳米结构一起形成电荷分离结;和c)可供连接器件与外部电路操作的上、下接触,其中下接触与许多细长纳米结构电接触,而上接触与共形层电接触。
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