[发明专利]单个共形结纳米线光伏器件无效
| 申请号: | 200710142489.6 | 申请日: | 2007-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN101132028A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
| 发明(设计)人: | L·查卡拉科斯;B·A·科列瓦尔;J·A·弗龙黑泽;J·E·鲍尔奇 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
| 主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/075;H01L31/072;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 在有些实施方案中,本发明的目标在于包含涂有薄共形涂层的细长纳米结构的光伏器件(例如,太阳能电池)。这种共形涂层一般提供基本连续的电荷分离结。取决于实施方案,这类器件能包含p-n结(100)、p-i-n结(400)(在p和n层之间有本征薄隧道层)和/或异质结(600)。但在所有情况下,细长纳米结构是光伏器件中的活性光伏(PV)元件。此外,本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法。这类光伏或太阳能电池器件的成本与薄膜太阳能电池相当,但因共形的电荷分离结而具有更高的效率。此外,纳米结构还提供优良的陷光作用和吸光性。 | ||
| 搜索关键词: | 单个 共形结 纳米 线光伏 器件 | ||
【主权项】:
1.包含下列元件的光伏器件:a)许多发射自多孔纳米模板的细长纳米结构,该细长纳米结构由具有第一类掺杂的半导体材料构成;b)共形地沉积在许多细长纳米结构周围的半导体材料的共形层,该半导体材料的共形层具有第二类掺杂并与许多细长纳米结构一起形成电荷分离结;和c)可供连接器件与外部电路操作的上、下接触,其中下接触与许多细长纳米结构电接触,而上接触与共形层电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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