[发明专利]用于封装的半导体芯片的和半导体封装的制造方法无效
| 申请号: | 200710140731.6 | 申请日: | 2007-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN101330025A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
| 发明(设计)人: | 韩权焕;朴昌濬;徐敏硕;金圣哲;金圣敏;梁胜宅;李升铉;金钟薰;李荷娜 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云;许向华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 一种用于封装的半导体芯片的制造方法,包括:在半导体芯片的焊盘外部的一部分中形成槽,在该半导体芯片上表面上具有焊盘;在该槽的侧壁上形成绝缘层;在半导体芯片上形成金属层以填充形成有绝缘层的该槽;刻蚀金属层以同时形成用来填充该槽的穿透硅通道和用来连接穿透硅通道和焊盘的分配层;以及去除半导体芯片的背表面使得穿透硅通道的下表面突出于半导体芯片。本发明还涉及一种半导体封装的制造方法。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 封装 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于封装的半导体芯片的制造方法,包括如下步骤:在半导体芯片的上表面形成具有侧壁的槽,该半导体芯片的上表面上具有焊盘,其中该槽比该焊盘距离该半导体芯片上表面的外边界更近;在该槽的所述侧壁上形成绝缘层;在该半导体芯片上形成金属层以填充形成有绝缘层的所述槽;刻蚀该金属层以同时形成在该槽中填充有金属的穿透硅通道和用来连接该穿透硅通道至该焊盘的分配层;和去除该半导体芯片的下表面的一部分以减小其厚度使得在该槽的底部的穿透硅通道的那一部分突出于该半导体芯片的下表面。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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