[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法无效
| 申请号： | 200710140028.5 | 申请日： | 2007-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101132019A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 孙泫撤 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种显示设备包括：基板，所述基板其上设置有一晶体管并包括连接到晶体管的源/漏极，设置在晶体管上的中间层，源/漏极穿透中间层，一个设置在中间层上的发光结构，发光结构通过第一电极连接到源/漏极的延伸部分，延伸部分在中间层的上表面上延伸，一个在源/漏极穿透中间层处的位于中间层的上表面上的第一开口，以及第一电极接触源/漏极处的接触区域，其中接触区域的面积大于第一开口的面积，并且接触区域不与第一开口重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示设备，包括：有晶体管设置在其上并含有与所述晶体管相连接的源/漏极的基板；设置在所述晶体管上的中间层，所述源/漏极穿透所述中间层；设置在所述中间层上的发光结构，所述发光结构通过第一电极连接到所述源/漏极的延伸部分，该延伸部分延伸跨过所述中间层的上表面；在所述源/漏极穿透所述中间层处的所述中间层的上表面上的第一开口；以及所述第一电极接触所述源/漏极处的接触区域，其中，所述接触区域的面积大于所述第一开口的面积，并且所述接触区域不与所述第一开口重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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