[发明专利]薄膜晶体管基底及其制造方法和具有该基底的显示面板有效
| 申请号： | 200710139128.6 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101114676A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 尹铢浣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;韩素云 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底、一种薄膜晶体管基底的制造方法和一种显示面板。薄膜晶体管基底包括栅电极、栅极绝缘图案、沟道图案、第一有机绝缘图案、源电极和漏电极。栅电极形成在底部基底上。栅极绝缘图案形成在栅电极上并且比栅电极小。沟道图案形成在栅极绝缘图案上，并且沟道图案比栅电极小。第一有机绝缘图案形成在底部基底上，以覆盖沟道图案、栅极绝缘图案和栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 基底 及其 制造 方法 具有 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基底，包括：底部基底；栅电极，形成在所述底部基底上；栅极绝缘图案，形成在所述栅电极上；沟道图案，形成在所述栅极绝缘图案上，其中，所述栅电极的宽度大于所述沟道图案的宽度。
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