[发明专利]具双存取元件的相变化存储单元

摘要

本发明公开一种自行对准存储元件及其形成方法。一种自行对准存储元件，其包括存储单元，该存储单元可通过施加能量而在多个电学状态之间转换，该存储元件包括基底以及多条字线，至少有一侧的字线被介电材料所覆盖，定义出多个间隙。存取元件位于基底中，其具有第一端点位于第二间隙之下，且具有第二端点位于第一与第三间隙的下。第一和第二源极线位于第一和第三间隙的中且电学连接该第二端点。第一电极位于第二间隙的中且电学连接该第一端点。存储单元位于第二间隙之中，位于第一电极上方且与第一电极电学连接。第二电极位于存储单元之上且与其连接。第一电极、存储单元以及第二电极自行对准。一部分的存储元件具有次光刻尺寸的宽度。

主权项

1.一种自行对准存储元件，其包括存储单元，该存储单元可通过施加能量而在多个电学状态之间转换，该存储元件包括：基底；第一、第二、第三以及第四字线位于该基底之上，并且以第一方向排列，该字线具有多个顶面与多个侧面，其中至少有一顶面被介电材料覆盖，该介电材料之间定义出第一、第二以及第三间隙；多个存取元件的多个端点位于基底中，第一端点直接位于该第二间隙之下，且第二端点直接形成于各该第一与各该第三间隙之下；第一和第二源极线位于该第一和该第三间隙的中且电学连接各别的该第二端点之一；第一电极位于该第二间隙的中且电学连接该第一端点；存储单元位于该第二间隙之中，位于该第一电极上方且与该第一电极电学连接；第二电极位于该存储单元之上且与其连接，并且沿第二方向排列，该第二方向与该第一方向垂直，该第一电极、该存储单元以及该第二电极自行对准。