[发明专利]生长氮化镓晶体的方法

摘要

根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M)，其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜(M)的基底基板(U)上外延生长晶体，其中在外延生长晶体的步骤中，晶体是在第一生长条件下生长的，其中以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a₁/T+b₁)＜Vj＜(a₂/T+b₂)，其中使用系数a₁＝－4.39×10⁵，b₁＝3.87×10²，a₂＝－7.36×10⁵和b₂＝7.37×10²。这样，晶体中的位错密度减小。

主权项

1.一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M)，其抑制氮化镓晶体的外延生长，以提供由所述掩膜(M)覆盖的覆盖部分和未由所述掩膜(M)覆盖的暴露部分；以及通过气相淀积，在其上形成了所述掩膜(M)的所述基底基板(U)上外延生长所述晶体，其中在所述的外延生长所述晶体的步骤中，所述晶体是在第一生长条件下生长的，其中，以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a1/T+b1)＜Vj＜(a2/T+b2)其中使用系数a1＝-4.39×105，b1＝3.87×102，a2＝-7.36×105和b2＝7.37×102，由此，所述晶体在所述暴露部分上生长，在所述暴露部分上面的所述晶体处形成了多个晶面(F)，其末端是所述掩膜(M)的周界，在保持所述晶面(F)的情况下生长所述晶体，在相互相对的所述晶面(F)上面生长第一晶体区域，所述掩膜(M)置于所述相互相对的所述晶面(F)之间，以便于使所述第一晶体区域在所述掩膜(M)上方结成一体，并且被形成为覆盖所述掩膜(M)，并且所述第一晶体区域的c轴方向相对于所述暴露部分上生长的第二晶体区域反转。