[发明专利]用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置无效
| 申请号： | 200710138058.2 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101174106A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 艾杰伊·库玛;马德哈唯·R·钱德拉养德;理查德·莱温顿;达里恩·比文斯;阿米泰布·萨布哈维尔;希巴·J·潘纳伊尔;艾伦·希罗什·奥叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G03F7/26;H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此提供一种用于蚀刻光掩模的方法和装置。该装置包括在衬底支架上方具有护板的工艺腔室。该护板包含具有孔的板，以及该板具有两个区域，这两个区域具有彼此不同的至少一种属性，诸如材料或电势偏压。该方法提供用于蚀刻具有经过护板的离子和中性物质分布的光掩模衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光掩模 等离子体 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻的装置，包含：工艺腔室；支撑底座，设置在工艺腔室中并用于在支撑底座上容纳光掩模；RF功率源，用于在所述腔室内形成等离子体；以及护板，设置所述腔室中所述底座上方，所述护板包含板，该板具有多个孔并用于控制经过所述板的带电和中性物质的分布，其中所述板包含具有至少一种属性彼此不同的两个区域，所述至少一种属性是材料或电势偏压的其中之一。
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