[发明专利]半导体制程的叠置偏移的量测无效
| 申请号： | 200710137623.3 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101266937A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 黄得智;柯志明;高蔡胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01B11/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体制造的方法，包含形成叠置偏移(Overlay Offset)的量测标的，此量测标的包含有位于第一材料层上的第一特征和位于第二材料层上的第二特征。第一特征和第二特征具有一第一预设叠置偏移。照射量测标的，并决定此被照射的量测标的的反射率。使用被决定的反射率来计算第一材料层和第二材料层的叠置偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 偏移 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体制造方法，其特征在于其至少包括以下步骤：形成叠置偏移的一量测标的，该量测标的包含位于一第一材料层的一第一特征和位于一第二材料层的一第二特征，其中该第一特征和该第二特征具有一第一预设叠置偏移；照射该量测标的；决定被照射的该量测标的的一反射率；以及使用被决定的该反射率来计算该第一材料层和该第二材料层的一叠置偏移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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