[发明专利]调整动态随机存取存储器更新周期的方法有效
| 申请号： | 200710137352.1 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101183559A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·B·巴特勒 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 新加坡新加坡邮区6088*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调整一动态随机存取存储器阵列(DRAM)的一更新周期的方法，该方法利用多个未被决定留置时间的DRAM阵列位，以及所述被决定留置时间的DRAM阵列位中具有最短留置时间的阵列位，具有非常相似的特性。在本发明的一特定实施例中，该更新周期通过利用剩余DRAM阵列位，取代多个未达到留置时间需求的DRAM阵列位。该被取代的DRAM阵列位接着被用以指示该DRAM的更新周期。该更新周期为在当时该DRAM的操作状态下，所能达到的最大值。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 动态 随机存取存储器 更新 周期 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调整一动态随机存取存储器DRAM阵列更新周期的方法，包含：决定至少部分所述DRAM阵列位的该留置时间；以剩余的位，取代所述DRAM阵列位中具有最短留置时间的阵列位；以及建立一个或多个所述被取代的DRAM阵列位为指示位，所述被取代的DRAM阵列位比起未被取代的任何DRAM阵列位具有一较短的留置时间。
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