[发明专利]半导体光元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体光元件的制造方法。可在波导脊的上表面，稳定地防止半导体层与电极层的接触面积的减少，提供一种成品率高的制造方法。本发明的LD(10)的制造方法是在层叠了半导体层的晶片中形成波导脊(40)，在晶片整个面中形成SiO₂膜(78)，形成于波导脊(40)顶部的SiO₂膜(78)的表面露出，同时，利用抗蚀剂膜埋设邻接于波导脊(40)的沟道(38)的SiO₂膜(78)，形成第2抗蚀剂图案(82)，该抗蚀剂膜具有比波导脊(40)的p－GaN层(74)表面高、且比波导脊(40)顶部上的SiO₂膜(78)表面低的表面，将第2抗蚀剂图案(82)作为掩膜，去除SiO₂膜(78)，使波导脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，并在其上形成电极层(46)。

主权项

1.一种半导体光元件的制造方法，其特征在于，包含：在半导体基板上依次层叠第1导电型的第1半导体层、活性层、第2导电型的第2半导体层，形成半导体层叠结构的工序；在该半导体层叠结构的表面涂布抗蚀剂，利用照相制版工序，形成具备具有对应于波导脊的宽度的条状抗蚀剂膜部分的第1抗蚀剂图案的工序；将该第1抗蚀剂图案作为掩膜，利用干蚀刻，去除第2半导体层上表面侧的一部分，并在其底部形成残留第2半导体层一部分的凹部，由此形成波导脊的工序；在去除第1抗蚀剂图案之后，在包含凹部的半导体层叠结构的表面形成第1绝缘膜的工序；在形成于波导脊顶部的第1绝缘膜的表面露出的同时，利用抗蚀剂膜埋设邻接于波导脊的凹部的第1绝缘膜，形成第2抗蚀剂图案的工序，该抗蚀剂膜具有比波导脊的第2半导体层表面高、且比波导脊顶部上的第1绝缘膜表面低的表面；将第2抗蚀剂图案作为掩膜，利用蚀刻去除第1绝缘膜，使波导脊的第2半导体层表面露出的工序；和在露出的波导脊的第2半导体层表面上形成电极层的工序。