[发明专利]电容器用铌颗粒无效
| 申请号： | 200710136443.3 | 申请日： | 2001-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101106022A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 内藤一美;永户伸幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/052;C22C32/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电容器用铌颗粒，其中，所述铌颗粒包含铌，并含有0.05－20.55质量％的一氧化铌晶体或0.05－23.25质量％的一氧化六铌晶体；所述铌颗粒通过使铌初始粉成颗粒状来得到。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 器用 颗粒 | ||
【主权项】：
1.一种电容器用铌颗粒，其中，所述铌颗粒包含铌，并含有0.05-20.55质量％的一氧化铌晶体或0.05-23.25质量％的一氧化六铌晶体；所述铌颗粒通过使铌初始粉成颗粒状来得到。
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