[发明专利]晶体管和存储单元阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种形成晶体管的方法，该方法包括：通过限定绝缘沟槽而限定主动区，该绝缘沟槽邻近该主动区；以及在限定该绝缘沟槽之后形成栅电极。该栅电极通过以下步骤形成：相对于填充该绝缘沟槽的绝缘材料在该主动区中选择性地蚀刻栅槽；在邻近沟道的部分处蚀刻填充该绝缘沟槽的绝缘材料，从而使该沟道的一部分未被覆盖，所述未被覆盖的部分具有带有顶侧和两横侧的脊形；在该顶侧和该横侧上设置栅极绝缘材料；以及在该栅极绝缘层上设置导电材料，从而使该栅电极沿该沟道的该顶侧和该两个横侧设置。

主权项

1.一种形成存储单元阵列的方法，包括：a)将所述存储单元阵列限定为包括多个存储单元，每个存储单元包括储存电容器和晶体管；b)限定邻近主动区的绝缘沟槽；以及c)通过以下步骤形成所述晶体管的栅电极：c1)相对于填充所述绝缘沟槽的绝缘材料在所述主动区中选择性蚀刻栅槽，所述栅槽包括上侧壁部分、下侧壁部分和底部，所述下侧壁部分邻近所述底部，所述上侧壁部分设置在所述下侧壁部分上方；c2)在邻近沟道的部分处蚀刻所述绝缘材料，从而使沟道的一部分未被覆盖，所述未被覆盖的部分具有包括顶侧和两个横侧的脊形，所述蚀刻通过使用覆盖层覆盖所述栅槽的所述上侧壁部分从而使邻近所述绝缘沟槽的下侧部分未被覆盖、以及相对于所述覆盖层的所述材料选择性地蚀刻所述绝缘材料而进行；c3)在所述顶侧和所述两个横侧上设置栅极绝缘材料；c4)在所述栅极绝缘层上设置导电材料，从而使所述栅电极沿所述沟道的所述顶侧和所述两个横侧设置。