[发明专利]集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管

摘要

本发明公开了一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂N型衬底，在N型衬底上设置有N型外延，在N型外延上设置有增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，在所述的增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管之间设有一隔离结构，该隔离结构包括浮置P型阱、二氧化硅介质层以及多晶硅场板，所述的浮置P型阱设置在N型外延上，所述的二氧化硅介质层设置在浮置P型阱的上端，所述的多晶硅场板设置在二氧化硅介质层中。与现有技术相比，本发明采用隔离机构将增强型和耗尽型两种垂直双扩散金属氧化物场效应管集成在一块芯片内，更有利系统的集成和小型化。

主权项

1.一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂N型衬底(1)，在N型衬底上(1)设置有N型外延(2)，在N型外延(2)上设置有增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管(6)和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管(7)，其特征在于在所述的增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管(6)和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管(7)之间设有一隔离结构，该隔离结构包括浮置P型阱(3)、二氧化硅介质层(4)以及多晶硅场板(5)，所述的浮置P型阱(3)设置在N型外延(2)上，所述的二氧化硅介质层(4)设置在浮置P型阱(3)的上端，所述的多晶硅场板(5)设置在二氧化硅介质层(4)中。