[发明专利]微机电系统器件加工中金属层与绝缘层图形对准误差电学测试结构无效
| 申请号: | 200710133886.7 | 申请日: | 2007-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN101143703A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
| 发明(设计)人: | 李伟华;钱晓霞 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | B81C5/00 | 分类号: | B81C5/00;G01B7/00 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 奚幼坚 |
| 地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 一种微机电系统器件加工中金属层与绝缘层图形对准误差电学测试结构,以金属层为基本层,设计准误差测试结构,该结构中半导体层为二块分离、平行设置、同一材料、同为矩形的半导体;下面的绝缘层上分别对应于二块半导体的部位,相应开有一个梯形及一个矩形窗口,与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条,其中一条垂直覆盖梯形窗口的上、下底及矩形窗口的二长边,另一条覆盖梯形窗口的钝角部位及矩形窗口的二长边且于二块半导体之间的分离区截断,两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻,当金属层图形与绝缘层图形之间存在相对偏移时,测试电阻变化,可得到当金属层图形与绝缘层图形之间对准偏移的误差值。 | ||
| 搜索关键词: | 微机 系统 器件 加工 金属 绝缘 图形 对准 误差 电学 测试 结构 | ||
【主权项】:
1.一种微机电系统器件加工中金属层与绝缘层图形对准误差电学测试结构,器件含多层导电材料,包括硅衬底、半导体材料层以及位于最上层用于连接信号的金属材料层,各导电层之间设有绝缘层,采用逐次沉积和逐次套刻方法加工,其特征是:以金属层为基本层,设计对准误差的测试结构,该结构中半导体层为二块分离、平行设置、同一材料、同为矩形的半导体;它们下面的绝缘层上分别对应于二块半导体的部位,相应开有一个有二个直角、一个钝角、一个锐角的梯形及一个矩形窗口,二窗口平行设置,窗口的大小均小于矩形半导体;与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条,其中一条垂直覆盖梯形窗口的上、下底及矩形窗口的二长边,另一条覆盖梯形窗口的钝角部位及矩形窗口的二长边且于二块半导体之间的分离区截断,两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻,其中,整根的金属条与另一条覆盖矩形窗口的那一段金属条及它们之间的半导体导电层形成一个电阻R1,整根的金属条与另一条覆盖梯形窗口的钝角部位的那一段金属条及它们之间的半导体导电层形成另一个电阻R2,当金属层图形与绝缘层图形之间存在相对偏移时,测试R2变化,得到当金属层图形与绝缘层图形之间对准偏移的误差值。
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