[发明专利]基于薄膜/多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法无效
| 申请号： | 200710133293.0 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101140978A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王寅岗;李子全;周广宏 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L41/22 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 阙如生 |
| 地址： | 211100江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于薄膜/多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法，属于磁电子器件制造技术领域。其特征在于包括以下步骤：(1)按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性器件基体，在沉积磁性层时，根据需要施加50～500Oe的平面诱导磁场或沉积完成后进行必要磁场热处理；(2)利用聚焦镓离子工作站作为加工设备，进行无掩膜离子辐照加工；(3)其中离子辐照参数为：离子辐照的剂量为1×1013～1×1018ions/cm2，离子束能量为20～30keV，离子束流为100pA～5nA；(4)利用聚焦离子束工作站在磁性薄膜器件的周围沉积出所需的电极。本方法具有无需制备掩模、方法简单、效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜 多层 纳米 磁电 器件 无掩模 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于薄膜/多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性器件基体，在沉积磁性层时，根据需要施加50～500Oe的平面诱导磁场或沉积完成后进行必要磁场热处理；(2)、利用聚焦镓离子工作站作为加工设备，进行无掩膜离子辐照加工；(3)、其中离子辐照参数为：离子辐照的剂量为1×1013～1×1018ions/cm2，离子束能量为20～30keV，离子束流为100pA～5nA；(4)、利用聚焦离子束工作站在磁性薄膜器件的周围沉积出所需的电极。
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