[发明专利]并行变容二极管电容器无效
| 申请号： | 200710130394.2 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101110421A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 金世晔 | 申请（专利权）人： | 因特格瑞特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人： | 张小娟;徐林 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种并行变容二极管电容器。该电容器包括第一变容二极管和第二变容二极管。第一变容二极管具有第一电容，其取决于应用到第一变容二极管的第一阳极和第一阴极的电压而改变。第二变容二极管具有第二电容，其取决于应用到第二阳极和第二阴极的电压而改变。第一阳极连接第二阴极，并且第一阴极连接第二阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 并行 变容二极管 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种并行变容二极管电容器，包括：第一变容二极管，具有第一电容，该电容取决于应用到第一变容二极管的第一阳极和第一阴极的电压而改变；和第二变容二极管，具有第二电容，其取决于应用到第二变容二极管的第二阳极和第二阴极的电压而改变，其中第一阳极连接第二阴极，并且第一阴极连接第二阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
