[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710129437.5 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101211784A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金承范 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体基板中形成器件隔离结构，以限定有源区；在所述半导体基板之上形成限定凹陷区的硬掩模图案；利用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模而选择性地蚀刻所述半导体基板，以形成凹式通道结构，所述蚀刻工序是利用不同蚀刻条件下的两种等离子蚀刻方法而执行的；移除所述硬掩模图案，以露出包括所述凹式通道结构的半导体基板；以及形成栅电极以填充所述凹式通道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板之上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案限定凹陷区；利用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻所述半导体基板，以在所述凹陷区中形成凹式通道结构，所述半导体基板是通过不同蚀刻条件下的两种等离子蚀刻方法而进行蚀刻的；移除所述硬掩模图案，以露出包括所述凹式通道结构的半导体基板；以及形成栅电极以填充所述凹式通道结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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