[发明专利]固态成像装置有效
申请号: | 200710128627.5 | 申请日: | 2007-07-09 |
公开(公告)号: | CN101110440A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 中柴康隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种固态成像装置(1)包括半导体衬底(10),光接收单元(14)以及光屏蔽膜(20)。固态成像装置(1)是背面入射型,以及将从物体入射到半导体衬底(10)的背面S2的光光电地转换为电荷,以及在光接收单元(14)处接收由光电转换产生的电荷,从而对物体进行成像。该光接收单元(14)与半导体衬底(10)形成PN结二极管。光屏蔽膜(20)被配置在半导体衬底(10)的前表面S1上从而覆盖该光接收单元(14)。光屏蔽膜(20)用于屏蔽从固态成像装置(1)的外部入射到前表面S1上的光。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,其光电地将入射到半导体衬底背面上的光转换为信号电荷,从而对物体进行成像,所述固态成像装置包括:光接收单元,其在所述半导体衬底中配置在所述半导体衬底的前表面侧上,所述光接收单元与所述半导体衬底形成PN结二极管,并且接收由光电转换产生的所述信号电荷;以及光屏蔽膜,其配置在半导体衬底的所述前表面上,从而覆盖所述光接收单元,所述光屏蔽膜被配置为防止光从所述固态成像装置的外部入射到所述前表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710128627.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:在动态环境下限制大口径反射镜位移的限位装置
- 下一篇:碱性电池添加剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的