[发明专利]在硅和有机前驱物的PECVD工艺中减少气相反应以沉积无缺陷起始层方法

摘要

通过在具有偏压电极的处理腔室内设置衬底，以及流入处理腔室一流速的一种或多种有机硅化合物和一流速的一种或多种氧化气体的混合物以通过将RF功率施加于电极而沉积起始层，提供一种沉积低介电常数膜的方法。然后递增有机硅化合物的流速到最终流速以沉积第一过渡层，在其上引入一种或多种孔原物化合物以及在沉积第二过渡层时孔原物化合物的流速递增至最终沉积速度。然后，通过流入最终流速的孔原物和有机硅直到RF功率关闭，沉积孔原物掺杂的硅氧化物层。

主权项

1.一种沉积有机硅酸盐介电层的方法，包含：在处理腔室内设置衬底，所述处理腔室具有偏压电极；流入起始气体混合物到所述处理腔室中，所述起始气体混合物包含一流速的一种或多种有机硅化合物和一流速的一种或多种氧化气体；在所述衬底上通过将射频功率施加于所述偏压电极沉积起始层；递增所述一种或多种有机硅化合物的所述流速，直到在所述起始层上沉积第一过渡层时达到所述一种或多种有机硅化合物的最终流速；流入最终流速的所述一种或多种有机硅化合物，同时流入一流速的包含一种或多种孔原物化合物的气体混合物；递增所述一种或多种孔原物化合物的所述流速，直到在所述第一过渡层上沉积第二过渡层时达到所述一种或多种孔原物化合物的最终流速；以及终止所述射频功率。