[发明专利]高温原位减薄硅基底的装置和方法无效
| 申请号： | 200710118005.4 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101333658A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘祥林;杨少延;焦春美 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;C23F1/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高温原位减薄硅基底的装置和使用该装置的方法，该装置包括：一石墨基座，该石墨基座为圆柱形或圆盘形；该石墨基座上面有一凹部，用于承载硅基底；该石墨基座与硅基底之间有一缝隙，该缝隙为腐蚀气体通道；在该石墨基座的中心纵向有一圆孔，该圆孔为腐蚀气体通道；沿该石墨基座的圆周纵向有多数的通孔，该通孔为腐蚀气体通道。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 原位 减薄硅 基底 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高温原位减薄硅基底的装置，其特征在于，包括：一石墨基座，该石墨基座为圆柱形或圆盘形；该石墨基座上面有一凹部，用于承载硅基底；该石墨基座与硅基底之间有一缝隙，该缝隙为腐蚀气体通道；在该石墨基座的中心纵向有一圆孔，该圆孔为腐蚀气体通道；沿该石墨基座的圆周纵向有多数的通孔，该通孔为腐蚀气体通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710118005.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
