[发明专利]化学机械抛光垫有效
| 申请号： | 200710109253.2 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101077570A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | M·J·库尔普 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24D3/00 | 分类号： | B24D3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了适于对半导体基板、光学基板和磁性基板中的至少一种进行平面化的抛光垫。所述抛光垫包括聚合物基体，所述聚合物基体具有顶部抛光表面。所述顶部抛光表面具有聚合物抛光粗糙结构，或者在用磨料进行精整的过程中形成聚合物抛光粗糙结构。所述聚合物抛光粗糙结构是由具有以下特征的聚合物材料制成的：所述聚合物材料包含至少45重量％的硬链段，整体极限抗张强度至少为6500psi，即44.8兆帕，所述聚合物基体具有两相结构，包括硬相和软相，这两相结构中硬相平均面积与软相平均面积的比值小于1.6。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种适于对半导体基板、光学基板和磁性基板中的至少一种进行平面化的抛光垫，所述抛光垫包括聚合物基体，所述聚合物基体具有顶部抛光表面，所述顶部抛光表面具有聚合物抛光粗糙结构，或者在用磨料进行精整的时候形成聚合物抛光粗糙结构，所述聚合物抛光粗糙结构从所述聚合物基体延伸，是所述顶部抛光表面可以与基板相接触的部分，所述抛光垫通过对顶部抛光表面进行磨耗或精整，由聚合物基体形成另外的聚合物抛光粗糙结构，所述聚合物抛光粗糙结构是由具有以下特征的聚合物材料制成的：所述聚合物材料包含至少45重量％的硬链段，整体极限抗张强度至少为6500psi，即44.8兆帕，所述聚合物基体具有两相结构，包括硬相和软相，这两相结构中硬相平均面积与软相平均面积的比值小于1.6。
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