[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710108849.0 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101207113A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;吴文进;涂宏荣;杨固峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括第一芯片、第二芯片及保护层。第一芯片包括第一衬底及位于第一衬底上方的第一接合垫。第二芯片具有第一表面和相对于第一表面的第二表面，且堆叠于第一芯片上。保护层包括垂直部分和水平部分，其中垂直部分位于第二芯片的侧壁上，水平部分延伸至第一芯片上方。本发明能够防止水气和化学物质对于半导体结构的污染，从而改善芯片间结合的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一芯片，包括：第一衬底；及第一接合垫，位于该第一衬底上方；第二芯片，具有第一表面和相对于该第一表面的第二表面，其中该第二芯片堆叠于该第一芯片上；及保护层，包括垂直部分和水平部分，其中该垂直部分位于该第二芯片的侧壁上，该水平部分延伸至该第一芯片上方。
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