[发明专利]相变存储器件及相关编程方法有效
| 申请号： | 200710108745.X | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101154444A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 鲁有桓;李光振;姜尚范;赵佑塋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 相关 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在包括多个相变存储单元的相变存储器件中执行编程操作的方法，所述方法包括：(a)在所述多个相变存储单元中选定多个存储单元；(b)将一个比特的程序数据编程到每一个所述选定存储单元，其中每一个比特的程序数据包括一个比特的设定数据或一个比特的复位数据；(c)在所述选定存储单元上执行验证读取操作，所述验证读取操作包括将在每一个所述选定存储单元中存储的一个比特的读取数据与所述程序数据中的相应比特进行比较；(d)通过确定在所述选定存储单元中存储的读取数据的每一个比特是否与所述程序数据中的相应比特相同，对所述选定存储单元中的任意故障单元进行识别，对于所述任意故障单元检测到所述读取数据与所述相应的程序数据不同；(e)在识别出所述选定存储单元中的至少一个故障单元时，确定对于任意所述故障单元的相应比特的程序数据是否包括一个比特的设定数据，以及确定对于任意所述故障单元的相应比特的程序数据是否包括一个比特的复位数据；(f)在确定对于任意所述故障单元的相应比特的程序数据包括一个比特的设定数据时，对所述相应比特的程序数据包括一个比特的设定数据的全部所述选定存储单元重新编程；以及(g)在确定对于任意所述故障单元的相应比特的程序数据包括一个比特的复位数据时，对相应比特的程序数据包括一个比特的复位数据的每一个所述故障单元重新编程，而对已经用一个比特的复位数据成功地编程的选定存储单元不进行重新编程。
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